Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7811

MOSFET N-CH 28V 14A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7811

IRF7811 Hakkında

IRF7811, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 28V drain-source voltajı ve 14A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 11mΩ maksimum RDS(on) değeri, düşük kaynaktan kaynaklanan dirençle verimli anahtarlama sağlar. 4.5V gate sürücü voltajında çalışan bu transistör, 8-SO yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Gate charge değeri 23nC @ 5V ve giriş kapasitansi 1800pF @ 16V'dir. ±12V maksimum gate-source voltaj aralığında güvenli çalışır. Sürücü devrelerinde, anahtarlama güç uygulamalarında ve hızlı PWM kontrolü gerektiren sistemlerde kullanılabilir. Maksimum 3.5W güç tüketimiyle enerji verimliliği sunar. Bileşen şu anda obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 28 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 15A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok