Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7809TR

MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7809

IRF7809TR Hakkında

IRF7809TR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 30V drain-source gerilimi ve 17.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SO yüzey montajlı paketle sunulan bu bileşen, 7.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında kullanılır. 4.5V gate drive voltajı ile standart CMOS/TTL lojik seviyelerinden doğrudan sürülebilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7300 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok