Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7809PBF

MOSFET N-CH 28V 14.5A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7809

IRF7809PBF Hakkında

IRF7809PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistördür. 28V Drain-Source gerilimi ve 14.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, endüstriyel kontrolü, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve pil yönetim sistemlerinde tercih edilir. ±12V Vgs maksimum gerilimi ile çeşitli lojik seviyeleriyle uyumlu çalışabilir. Bileşen obsolete durumunda olup, stoklarda sınırlı bulunabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 28 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Type N-Channel
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok