Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7809AVTRPBF-1

MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
IRF7809

IRF7809AVTRPBF-1 Hakkında

IRF7809AVTRPBF-1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 13.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 9mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. ±12V gate gerilimi aralığında çalışan transistör, -55°C ile +150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında stabil performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3780 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok