Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7809

MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7809

IRF7809 Hakkında

IRF7809, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 17.6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SO yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 4.5V gate drive geriliminde 7.5mΩ on-direnci gösterir. Gate charge değeri 5V'de 86nC olarak belirlenmiştir. Maksimum ±12V gate-source gerilimini tolere edebilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü ve genel amaçlı digital switch uygulamalarında kullanılır. 3.5W maksimum güç tüketimi ile orta güç seviyesi uygulamalarına uygundur. Lojik seviyesi gate sürüsü ile uyumlu çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7300 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok