Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7807ZPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7807

IRF7807ZPBF Hakkında

IRF7807ZPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 13.8mOhm on-resistance değerine sahiptir. Surface mount 8-SO paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 2.5W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok