Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7807Z

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7807

IRF7807Z Hakkında

IRF7807Z, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8SO (SO8) yüzey montaj paketi içinde gelmektedir. Düşük on-resistance değeri (13.8mOhm @ 11A, 10V) ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanıma uygundur. Maksimum gate gerilimi ±20V, gate charge 11nC @ 4.5V'dur. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve güç denetim uygulamalarında tercih edilir. Parça statüsü kullanım dışı (obsolete) olmasına rağmen, benzer uygulamalar için referans değeri taşır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok