Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7807VPBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7807
IRF7807VPBF Hakkında
IRF7807VPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8.3A sürekli dren akımı kapasitesiyle, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 25mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu MOSFET, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 14nC gate charge değeri hızlı anahtarlama davranışı ve düşük sürüş gerilimi gereksinimini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok