Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7807VD2PBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7807
IRF7807VD2PBF Hakkında
IRF7807VD2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç kontrolü uygulamalarında kullanılır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp kaynağında çalışır. Entegre Schottky diyot içeren bu bileşen, anahtarlama hızını iyileştirir ve reverse recovery kaybını azaltır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) kararlı performans sunar. SMD 8-SO paket ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer kaydeder. DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlanmış güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük geçiş kaybı ve hızlı anahtarlama özelliği ile verimliliği arttırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok