Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7807VD2

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7807

IRF7807VD2 Hakkında

IRF7807VD2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8.3A sürekli dren akımı ile elektronik şalteleme uygulamalarında kullanılır. Integrated Schottky diyot özelliğine sahip olan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. 25mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. 8-SO yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok