Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7807VD1TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7807

IRF7807VD1TRPBF Hakkında

IRF7807VD1TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 8.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate sürüş geriliminde 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Entegre Schottky diyotlu yapısı, anahtarlama uygulamalarında geri dönüş diyotunun ayrı bileşen olarak eklenmesini gerektirmez. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Surface mount 8-SO paketinde sunulmaktadır. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve benzer düşük voltaj güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok