Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7807VD1
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7807
IRF7807VD1 Hakkında
IRF7807VD1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 30V drain-source voltaj ile 8.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Schottky diyot izolasyonlu tasarım sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. Surface mount 8-SO paket formatında sunulan bu transistör, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç anahtarlama ve yük yönetim devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip ve maksimum 2.5W güç tüketebilmektedir. Lütfen Not: Bu ürün kullanım dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok