Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7807D2TR

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7807

IRF7807D2TR Hakkında

IRF7807D2TR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 8.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate sürüş geriliminde 25mOhm RDS(on) değeri ile verimliliğini optimize eder. Entegre Schottky diyodu sayesinde parazitik diyot özellikleri iyileştirilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve düşük voltajlı güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaktadır. Surface mount 8-SO paket ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. Maksimum 2.5W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Bileşen güncel olarak Obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok