Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7807D2PBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7807

IRF7807D2PBF Hakkında

IRF7807D2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8.3A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Entegre Schottky diyot içeren yapısı ters paralel koruma sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC konverterleri ve LED sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Ürün üretimi sonlandırılmıştır, yeni tasarımlar için güncel alternatifler değerlendirilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok