Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7807D1TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7807

IRF7807D1TRPBF Hakkında

IRF7807D1TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 8.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 25mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. İzole Schottky diyot özelliği içeren bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Surface mount 8-SO paketinde sunulan komponen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 17nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar. Part status obsolete olup, alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok