Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7807D1TR

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7807

IRF7807D1TR Hakkında

IRF7807D1TR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim, 8.3A sürekli dren akımı ve 25mOhm on-resistance değerleri ile düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda kullanılır. Entegre Schottky diyotu sayesinde anahtarlama hızı artar ve geri dönüş kayıpları azalır. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 2.5W güç dağıtımına sahiptir. 4.5V gate sürücü gerilimi ile standart lojik devrelerle uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok