Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7807D1

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7807

IRF7807D1 Hakkında

IRF7807D1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 8.3A sürekli drain akımı ile çalışır. 4.5V kapı sürücü geriliminde 25mOhm RDS(on) değerine sahiptir. Schottky diyot entegrasyonu sayesinde anahat koruması sağlar. 8-SO yüzey montaj paketi içinde sunulur. Düşük kapı yükü (17nC @ 5V) ve ±12V maksimum kapı gerilimi ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlamalı güç kaynakları ve genel dijital lojik sürücü uygulamalarında kullanılır. Bileşen kullanım dışı (Obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok