Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7799L2TRPBF

MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF7799L2

IRF7799L2TRPBF Hakkında

IRF7799L2TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ Isometric L8 paket teknolojisi ile kompakt tasarım sunar. 38mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate şarj değeri 165nC olup hızlı anahtarlama özelliği vardır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 4.3W (Ta) ve 125W (Tc) maksimum güç saçılımı kapasitesine sahiptir. Anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında yer alır. Bileşen durumu itibariyle artık üretilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6714 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric L8
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 4.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package DirectFET™ Isometric L8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok