Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7799L2TR1PBF

MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF7799L2

IRF7799L2TR1PBF Hakkında

IRF7799L2TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilim (Vdss) ve 375A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. DirectFET™ Isometric L8 paketlemesi ile düşük on-rezistans (38mΩ @ 21A, 10V) sağlar. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışan bileşen, 165nC gate charge ve 6714pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özelliği sunar. Surface Mount montaj tipiyle kompakt tasarımlara uyumludur. (Not: Bu ürün kullanım dışı bırakılmıştır)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 375A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6714 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric L8
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 4.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package DirectFET™ Isometric L8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok