Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7779L2TRPBF
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric L8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7779L2
IRF7779L2TRPBF Hakkında
IRF7779L2TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. DirectFET™ Isometric paket içerisinde sunulan bu komponentin maksimum drain-source gerilimi 150V olup, 67A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 11mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile güç tüketimini minimize eder. Gate charge 150nC olup hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmektedir. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 67A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6660 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric L8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok