Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7779L2TR1PBF
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric L8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7779L2
IRF7779L2TR1PBF Hakkında
IRF7779L2TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 375A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DirectFET™ Isometric L8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük açık direnci (11mOhm @ 40A, 10V) sayesinde ısı kaybını minimalize eder. -55°C ile +175°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralıklı uygulamalara uygunluğunu gösterir. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Bileşen şu anda Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 375A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6660 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric L8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok