Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7769L2TR1PBF

MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

Seri / Aile Numarası
IRF7769L2

IRF7769L2TR1PBF Hakkında

IRF7769L2TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 375A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DirectFET™ Isometric L8 paketinde sunulan bu bileşen, 3.5mΩ maksimum gate-source direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, motorlar, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 300nC gate charge ve 11560pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 375A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11560 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric L8
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 74A, 10V
Supplier Device Package DirectFET™ Isometric L8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok