Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7769L1TRPBFTR
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric L8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7769L1
IRF7769L1TRPBFTR Hakkında
IRF7769L1TRPBFTR, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. DirectFET™ Isometric L8 paketinde sunulan bu transistör, 100V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı özellikleriyle tasarlanmıştır. 3.5mΩ maksimum on-direnç ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılan bir bileşendir. Surface mount teknolojisiyle üretilen bu MOSFET, kompakt tasarımlar ve yüksek entegrasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 124A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11560 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric L8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 74A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok