Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7759L2TRPBF

IRF7759 - 12V-300V N-CHANNEL POW

Seri / Aile Numarası
IRF7759

IRF7759L2TRPBF Hakkında

IRF7759L2TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 75V N-Channel Power MOSFET'tir. DirectFET™ Isometric L8 paketinde sunulan bu transistör, 26A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 375A özel koşullarda (Tc) akım kapasitesine sahiptir. 2.3mΩ (96A, 10V) düşük on-direnç değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate charge değeri 300nC ve 12222pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama sağlar. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. ±20V gate gerilim toleransı ve 4V threshold gerilimi ile esnek uygulama uyumluluğu sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Ta), 375A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12222 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric L8
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 96A, 10V
Supplier Device Package DirectFET™ Isometric L8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok