Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7739L2TRPBF

DIRECTFET POWER MOSFET

Seri / Aile Numarası
IRF7739L2

IRF7739L2TRPBF Hakkında

IRF7739L2TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. DirectFET paket teknolojisini kullanan bu güç transistörü, 40V drain-source geriliminde 46A (Ta) / 375A (Tc) sürekli dren akımı sağlar. RDS(on) değeri 1mΩ @ 160A, 10V olup düşük iletim kaybı ile karakterizedir. Gate charge 330nC @ 10V, input kapasitans 11880pF @ 25V'tur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve güç dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. DirectFET L8 paket konfigürasyonu kompakt tasarım gerektiren yüksek akım uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46A (Ta), 375A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11880 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric L8
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 160A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET L8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok