Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7701TRPBF
MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7701
IRF7701TRPBF Hakkında
IRF7701TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi, 10A sürekli drenaj akımı ve 8-TSSOP yüzey montajlı paket ile tasarlanmıştır. 11mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve kuvvetlendiriciler gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. Gate charge değeri 100nC @ 4.5V olup, hızlı komütasyon performansı sunar. Maksimum 1.5W güç tüketimi ile enerji verimli tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5050 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok