Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7701GTRPBF

MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP

Paket/Kılıf
8-TSSOP
Seri / Aile Numarası
IRF7701

IRF7701GTRPBF Hakkında

IRF7701GTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajı ve 10A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 11mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface Mount 8-TSSOP paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve düşük voltajlı kontrol sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 1.5W maksimum güç yayınlaması ile endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5050 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok