Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7701
MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7701
IRF7701 Hakkında
IRF7701, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-TSSOP yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (11mΩ @ 10A, 4.5V) ile verimli anahtarlama özellikleri sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen IRF7701, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve solenoid sürücü uygulamalarında kullanılmaktadır. 1.5W maksimum güç tüketimi ve 100nC maksimum gate yükü değerleri ile kompakt tasarımlar gerçekleştirilmeye uygundur. Lütfen datasheet'i kontrol ederek uygulamaya özgü kullanım şartlarını doğrulayınız. Ürün mevcut Obsolete (üretim dışı) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5050 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok