Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7665S2TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric SB
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7665S2
IRF7665S2TRPBF Hakkında
IRF7665S2TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 4.1A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. DirectFET™ Isometric SB paket içinde sunulan bu bileşen, 62mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 2.4W güç tüketimi özellikleriyle, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde çalışmak üzere tasarlanmış olan bu transistör, 13nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 515 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 8.9A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET SB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok