Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7665S2TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric SB
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7665S2TR1PBF
IRF7665S2TR1PBF Hakkında
IRF7665S2TR1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında çalışma kapasitesine sahip bu bileşen, 4.1A sürekli drain akımında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DirectFET™ Isometric SB paket teknolojisi ile yüksek entegrasyon sağlar. 62mOhm maksimum açık durum direnci (RDS On) ile düşük güç kaybı karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Gate charge değeri 13nC olup, 515pF input kapasitansıyla hızlı komütasyon uygulamalarında kullanılır. Power MOSFET uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilmektedir. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 515 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 8.9A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET SB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok