Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7601PBF

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

Paket/Kılıf
Micro8
Seri / Aile Numarası
IRF7601

IRF7601PBF Hakkında

IRF7601PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 5.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Micro8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (35mOhm @ 4.5V) ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük gate charge değeri (22nC) ile hızlı komütasyon özelliği sağlar. Infineon tarafından üretimi durdurulmuş olup, stok bulunabilirliği sınırlıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Supplier Device Package Micro8™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok