Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7526D1TR
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Micro8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7526D1
IRF7526D1TR Hakkında
IRF7526D1TR, Infineon Technologies tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltajı ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Micro8 yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 200mOhm maksimum on-direnci değerine sahiptir. Dahili Schottky diyot (izole) özelliği ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.25W güç tüketim sınırlaması ile düşük güçlü anahtarlama devreleri, kontrol sistemleri ve dişi taraf anahtarlamalarında uygulanır. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | Micro8™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok