Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7526D1
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Micro8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7526D1
IRF7526D1 Hakkında
IRF7526D1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 2A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için kullanılır. 200mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji iletimi sağlar. Micro8 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Schottky diyot özelliği içeren IRF7526D1, mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, ön amplifikatörler ve anahtarlamaya dayalı elektronik sistemlerde kullanılır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | Micro8™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok