Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7524D1PBF

MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8

Paket/Kılıf
Micro8
Seri / Aile Numarası
IRF7524

IRF7524D1PBF Hakkında

IRF7524D1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source voltaj derecesi ve 1.7A sürekli Drain akımı özelliğine sahip olan bu bileşen, Micro8™ yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 270mΩ (4.5V, 1.2A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Entegre Schottky diyot ve 8.2nC gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, güç yönetimi devreleri, röle sürücüleri, yük anahtarlaması ve düşük voltaj uygulamalarında tercih edilir. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Supplier Device Package Micro8™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok