Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7524D1GTRPBF
MOSFET P-CH 20V 1.7A 8USMD
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-uSMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7524
IRF7524D1GTRPBF Hakkında
IRF7524D1GTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi, 1.7A sürekli drenaj akımı ve 270mΩ on-state direnci ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Entegre Schottky diyot özelliği sayesinde anahtarlama hızını artırır. 8-pin SMD paketinde sunulan bu bileşen, batarya yönetimi, güç dağıtım sistemleri ve sinyal anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Mevcut durumu itibariyle üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-uSMD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok