Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7523D1
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Micro8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7523
IRF7523D1 Hakkında
IRF7523D1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 2.7A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. Schottky diyot içeren izole yapı sayesinde anahtarlama uygulamalarında hızlı komütasyon sağlar. 130mOhm (10V, 1.7A) düşük on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri ve düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface Mount Micro8 paketinde sunulan IRF7523D1, kompakt tasarımlarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | Micro8™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok