Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7521D1PBF

MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8

Paket/Kılıf
Micro8
Seri / Aile Numarası
IRF7521

IRF7521D1PBF Hakkında

IRF7521D1PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 20V drain-source geriliminde 2.4A sürekli drenaj akımını destekler. Micro8 paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 135mΩ maksimum on-state direncine (Rds On) sahiptir. Entegre Schottky diyotu ve düşük gate charge karakteristiği (8nC @ 4.5V) ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, maksimum 1.3W güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konverterler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Supplier Device Package Micro8™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok