Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7495PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7495
IRF7495PBF Hakkında
IRF7495PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 7.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 22mΩ maksimum on-direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 10V gate drive voltajında çalışan bu bileşen, motor kontrol, güç dönüştürücüler, LED sürücüler ve DC-DC konvertörler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface mount 8-SO paketi ile elektronik kart tasarımlarında kompakt çözüm sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok