Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7493PBF

MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7493

IRF7493PBF Hakkında

IRF7493PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim kapasitesi ve 9.3A sürekli drenaj akımı ile çalışmaya uygun bir bileşendir. 10V drive voltajında maksimum 15mOhm on-resistance değerine sahiptir. Gate charge değeri 53nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 8-SO yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 2.5W güç dağıtabilir. ±20V maksimum gate-source gerilim sınırlamasına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 5.6A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok