Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7492TR

MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7492

IRF7492TR Hakkında

IRF7492TR, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SO surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 79mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. 2.5V eşik gerilimi ve ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5W maksimum güç kayıpı ve 59nC gate yükü parametreleri, hızlı ve verimli anahtarlama işlemi sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok