Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7492PBF

MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7492

IRF7492PBF Hakkında

IRF7492PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V Drain-Source voltaj ve 3.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 79mOhm maksimum on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 8-SO yüzey montaj paketi içerisinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. ±20V Vgs toleransı ile geniş uygulama yelpazesi sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok