Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7492

MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7492

IRF7492 Hakkında

IRF7492, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 3.7A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 79mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SO (SO-8) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konverterler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5V gate eşik gerilimi (Vgs(th)) ile TTL/CMOS mantık seviyelerine uyumludur. Güncel değildir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok