Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7488PBF

MOSFET N-CH 80V 6.3A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7488

IRF7488PBF Hakkında

IRF7488PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 6.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 29mOhm maksimum kanal direnci (10V gate geriliminde) ve düşük gate charge değerleri (57nC) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak uygulanır. Maximum 2.5W güç tüketim kapasitesi ile sınırlı alan gereksinimi olan uygulamalara uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok