Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7478PBF
MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7478
IRF7478PBF Hakkında
IRF7478PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 7A sürekli drain akımı ile elektronik devrelerde anahtarlama ve güç kontrol uygulamalarında kullanılır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 26mOhm on-resistance değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve genel anahtarlama devrelerinde uygulanabilir. 2.5W maksimum güç tüketimi ile kompakt ve verimli tasarımlar gerçekleştirilmesine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1740 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 4.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok