Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7476

MOSFET N-CH 12V 15A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7476

IRF7476 Hakkında

IRF7476, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük 8mΩ on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 40nC olup hızlı denetim sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç yönetimi, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. ±12V gate-source gerilimi aralığında çalışabilir ve 2.5W maksimum güç tüketimi özellikleri vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2550 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 15A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok