Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7473PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7473
IRF7473PBF Hakkında
IRF7473PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ve 6.9A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, güç dönüştürme, anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 26mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan IRF7473PBF, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2.5W maksimum güç dağıtımına sahiptir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlı regülatörlerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok