Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF7471PBF
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF7471
IRF7471PBF Hakkında
IRF7471PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 10A sürekli drain akımı kapasitesiyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-SO surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 13mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen IRF7471PBF, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve genel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 2.5W güç tüketimi ile enerji verimli tasarımlara uygun bir seçenektir. Not: Bu bileşen üretim döngüsü tamamlanmış (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2820 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok