Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7470PBF

MOSFET N-CH 40V 10A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7470

IRF7470PBF Hakkında

IRF7470PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 8-SO yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Maksimum 13mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. ±12V gate voltaj aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve genel amaçlı DC anahtarlama devrelerinde yaygın olarak yer alır. 44nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Ürün üretimi sonlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3430 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok