Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7468PBF

MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7468

IRF7468PBF Hakkında

IRF7468PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 40V drain-source voltaj derecesinde 9.4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-SO surface mount paketinde sunulan bu transistör, düşük on-resistance değeri (15.5mOhm @ 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. ±12V maksimum gate voltajı ve 2V threshold voltajı ile kontrollü gate sürülmesi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, inverter devreler, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 9.4A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok