Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF7467PBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7467

IRF7467PBF Hakkında

IRF7467PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Surface mount 8-SO pakette sunulan bu bileşen, 12mΩ (10V, 11A koşullarında) maksimum açık durumda direnç değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve elektrik yönetim sistemlerinde kullanılır. Maksimum 2.5W güç dissipasyonuna ve ±12V gate gerilim sınırına sahiptir. Şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2530 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok